Obecnie zamiast układów trójwarstwowych stosuje się powszechnie dwuwarstwowe układy metalizacji, gdzie jako warstwa zaporowa o dobrej adhezji do Si, SiO2 i szkliw krzemowych znalazła zastosowanie cienka warstwa wolframowa z domieszką tytanu w ilości 10% wagowych. Mieszanina wolframu i tytanu jest pseudostopem i w formie cienkiej warstwy barierowej przeciwdziała dyfuzji Au do krzemu. Wolfram, który ma najbardziej zbliżony do krzemu współczynnik rozszerzalności cieplnej i nie tworzy związków międzymetalicznych ze złotem, stanowi bardzo spójną warstwę barierową dla dyfuzji złota do krzemu oraz najskuteczniej ze znanych metali zabezpiecza powierzchnię elementów dyskretnych i układów scalonych przed powstaniem eutektyki Au?Si, Tytan zapewnia dobrą adhezję do Si i SiO2 oraz szkliw fosforowo i borowo-krzemowych osadzanych chemicznie. Dodatkowo tytan, znajdujący się na powierzchni, tworzy samozabezpieczające przed korozją tlenki, co stanowi również powłokę antykorozyjną dla wolframu jako głównego składnika warstwy. Warstwy W+ 10% Ti osadza się próżniowo techniką rozpylania katodowego w układzie magnetronowym. Zewnętrzne warstwy przewodzące o grubości np. 1,0… 1,2 cm osadza się próżniowo w tym samym procesie technologicznym, co warstwę W+ 10% Ti, stosując dodatkowe źródło.
Przeczytaj także: Technologia montażu
Struktury diod, tranzystorów i mikroukładów scalonych wykonywane w toku procesów utleniania, epitakcji, dyfuzji, fotolitografii i naparowywania próżniowego uzyskują wartość dla użytkownika przyrządów półprzewodnikowych dopiero po wykonaniu operacji montażowych. Dołączenie przyrządu półprzewodnikowego do układu elektronicznego stwarza zwykle producentowi sprzętu duże trudności, jeśli jego wymiary oraz końcówki łączeniowe nie są dostosowane do pozostałych podzespołów, a także do techniki montażowej. Częstym wymaganiem jest dobre odprowadzenie ciepła wydzielającego się w elementach czynnych podczas ich pracy. Względy niezawodności sprzętu narzucają wymaganie, aby parametry elektryczne przyrządu półprzewodnikowego nie ulegały wahaniom ani zmianom w czasie pracy przez okres co najmniej kilkuletni oraz w zmiennych warunkach otoczenia. Także wytrzymałość na wymuszenia mechaniczne jest istotnym wymaganiem dla dobrej pracy przyrządu. Przed montażem należy wyodrębnić strukturę półprzewodnikową z płytki zawierającej od kilkudziesięciu do kilkunastu tysięcy bliźniaczych struktur, a następnie trzeba ją zamocować w obudowie wyposażonej w wyprowadzenia zewnętrzne, zwykle z drutu lub taśmy metalowej, zapewniającej wytłumienie wstrząsów, odpowiednią hermetyczność struktury półprzewodnikowej i wystarczające odprowadzenie ciepła. Wreszcie należy elektrody kontaktowe na strukturze połączyć z wyprowadzeniami zewnętrznymi obudowy i obudowę zamknąć. W początkowym okresie rozwoju technologii wytwarzania elementów półprzewodnikowych operacje montażowe były traktowane wyłącznie ?usługowo” i główna uwaga w zakresie operacji końcowych procesu produkcyjnego była zwrócona na hermetyzację. Wykonywane wówczas elementy germanowe były bowiem niezwykle wrażliwe na wpływ zmian powierzchniowych.
